記憶體模組中的CL值越低，效能一定越好嗎？簡單教你如何利用頻率及CL值算出記憶體的延遲時間

說到記憶體的效能，直接聯想到的是記憶體模組的「讀取速度」及「延遲」，一般在產品規格表上秀出的其實是「時脈頻率」及「時序」的數值，這是需要經過換算得知的，並不是直接代表兩者數值相等，如果你問我哪個數值比較重要，我會說~~都很重要！(先別急的白眼我，接下去看你就知道為什麼了！)
   

• 時脈頻率：其數值表示每秒可以傳輸資料的次數。因此數值越大即每秒傳輸次數越多，也就表示傳輸效率越高。

 

• 時序：其數值表示記憶體模組在接收指令後，進行資料傳輸時所花費的時間。數值越小即花費時間越短，可以越快將資料傳輸出去。

  所以記憶體的效能是不能由單一數值決定，頻率與時序是有密切相關的，時序通常以4個數值表示，如CL40-40-40-80，數值依序分別代表：CAS延遲(CL)、行至列延遲(tRCD)、行脈衝預充電時間(tRP)，與行選通延遲(tRAS)，你只要先記得我們最常使用的數值是CAS延遲就好，也就是常聽到的CL值，其他的時序數值大多對專業超頻玩家才會比較有影響，所以今天小編就針對CL值與時脈頻率對記憶體效能的影響來介紹，更多的專有名詞解釋我們就待下次有機會再來跟大家說明吧！
   

一、什麼是CAS延遲？

CAS延遲的英文為CAS latency，簡稱CL值，是指電腦要讀取記憶體的資料時，需要等待多久的時間才能真正開始讀取，因此兩個相同頻率的記憶體模組，CL值越高就代表延遲時間越長。

值得注意的是，CL值的數值單位不是分或秒這種時間單位，而是代表幾個時脈週期，它是計算記憶體延遲時間公式中的一個變數，以T-FORCE DELTA RGB DDR5的規格為例，DDR5-6000 CL38的時脈週期總數等於38個。看到這邊是不是你的腦袋記憶體也快不夠了？別擔心，小編直接教你怎麼一看DRAM的規格表，就能用計算機秒按出記憶體模組的延遲時間！
   

二、如何計算記憶體的延遲時間？

延遲時間的單位我們用奈秒(ns)表示，公式如下：
  延遲時間(ns) = CL值 x 時脈週期時間(ns)
時脈週期時間(ns) = 1000 ÷ (時脈頻率MHz ÷ 2)


依上述的公式，我們舉兩個例子來跟大家說明：

[範例一] 相同頻率下，不同CL值對延遲時間的影響。.

以 T-FORCE DELTA RGB DDR5-6000 CL30 及 T-FORCE DELTA RGB DDR5-6000 CL38
  當記憶體CL值相同的情況下，頻率越高，延遲時間就會越短，電腦讀取記憶體資料時要等待的時間就越短，也就代表效能越好。

※ 上述計算公式得出的延遲時間為理論數值
※ 照片建議：搭配DELTA RGB DDR5產品圖，並將以下運算公式圖片化
   

三、CL值越低一定越好嗎？

經過前面的燒腦行為，讓我們回到本文標題，記憶體模組中的CL值越低，效能一定越好嗎？小編認為答案是「沒有絕對」！就像我們一開始所說的，記憶體的效能同是受到時脈頻率及時序影響，所以不能單以記憶體中的CL值來定義記憶體效能的好壞。
 

四、如何選擇合適的記憶體？

在選購記憶體時，考量的因素包含容量、時脈頻率及CL值等等，最重要的是與主機板和CPU的相容性，小編建議大家可以先決定記憶體的容量大小及頻率這兩個規格，然後再選擇CL值的大小，通常效能越好的記憶體模組價格也會越高，當你決定好記憶體規格後，也別忘記確認是否與你的主機板或CPU相容喔！

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