DDR5和DDR4内存差在哪?

2021年可以说是DDR5内存正式启航的元年,这个从2019年就制定完成的规范在历经一年多研究发展后在今年纷纷有不同厂商发表产品,十铨科技则是一直走在这波浪潮的前端,无论是标准JEDEC规格内存或是电竞超频内存都领先竞业许多,下面我们就根据这段时间累积的经验,为大家列举跨世代DDR5内存与前一代DDR4的不同之处。
 
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外观


我们直接从图上来看,
首先是PCB Layout方式有很大的差异,上方多出了一个空间摆放新出现的小芯片和电容(这部分后面会说明);其次则是金手指防呆卡榫的位置也有调整,从DDR3转换至DDR4的过程中已有往中间靠近的趋势,在DDR5时代更靠近中间一些,虽然还是有略微偏向一边,但消费者们在安装内存时需要更注意是否以正确方向插上,切勿直接施力硬压导致金手指断掉。
 
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单支容量上限


内存单支容量在DDR4时期,最高为单支32GB,以正常主流消费性双通道主板支持2 DPC(2 DIMM Per Channel)来看,DDR4平台较常见的内存总容量上限为128GB;来到DDR5时代则完全跨至新等级,单支内存最高就可达128GB,若同样以2 DPC的主板作比较,总内存容量可达512GB,以现阶段来说简直难以想象能多任务处理到什么程度,毕竟这已经是现下主流SSD的容量等级。
 
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换个面向从DDR发展历程来看,这次DDR5容量上限的设定也非常符合过去的标准,每一个世代的容量上限皆为前一代的4倍,也不禁让小编开始期待当单支128GB的DDR5内存正式开发完成后能带来多大的影响。
 

起始频率


如果你是一位时常在关注内存市场的玩家,也许有注意到一件事,过去DDR世代的起始频率和容量有类似的演进模式,频率大约是2倍左右的幅度在成长,举例DDR3世代的起始频率为1066MHz,DDR4世代为2133MHz。但这次DDR5首批曝光的产品中,频率定义在4800MHz,超过了逻辑推论的4266MHz,未来是否会有这个频率的颗粒出现小编还未收到相关讯息,能确定的是,这是一件值得让人高兴和期待的事,初始的标准型产品即已超越基础定义,那么超频的部分相信能有更不一样的发挥空间,值得我们去挖掘。
 
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组成架构


DDR5采用由8个Bank Group组成的32 Bank(可以单独启用/停用的存储单元)架构,比DDR4由4个Bank Group组成的16 Bank架构,多出1倍的存取可用性(Access Availability)。而DDR5的Burst Length(DRAM单个读/写指令可以存取的数据量)从DDR4的8增加到16,也是增加效能的关键功能。

不同于DDR4在更新(Refresh)时无法执行其他操作,DDR5则透过Same Bank Refresh功能,让系统可以在更新某些Bank的时候,存取其他Bank的数据,另一方面DDR5也透过决策回馈均衡器(Decision Feedback Equalization,DFE)消除噪声,以增加整体效能表现。

简单来说就是DDR5的每颗芯片能存取的数据为DDR4的两倍啦!
 
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基础运行电压


随着世代的演进,内存的基础工作电压持续降低,代表着内存运作更节能省电,在DDR3世代需要1.5V的电压去支撑标准型内存的运作,DDR4世代需要1.2V,而DDR5世代则仅需1.1V即可,这边我们暂不讨论关于超频时所需电压,毕竟不同的超频频率所需的电压会有所调整,那是另外一门学问。
 
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电源管理


电源管理功能过去都设置在主板上,由主板去定义供给内存的电压多寡,但因进入到DDR5世代,基础工作电压降为1.1V,讯号容限变的非常小,因此内存必须有非常良好的辨识讯号的能力,而将电源管理直接移至内存上就是一个极佳的解决办法。

大家在图片上可发现内存上方有一个区块多出了一颗小芯片和部分电容(前面提及),就是DDR5内存在DIMM上配置一个5V的电源管理芯片,可更有效的直接控制内存电源,并提高讯号完整性及噪声辨识能力。

简单说起,来其实就是1.1V实在是太低了,由主板来控制不好控,倒不如直接由内存本身来控制,反而能更稳定的控制电源讯号。
 
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ECC On Die


ECC全名为Error-Correcting Code,是一种广泛应用于不同领域计算机中的纠错技术,而应用于内存上,能让内存更稳定。但以往的内存若要有ECC功能,需要额外多配置一颗IC负责纠错,因此会看到ECC内存单面会是9颗芯片而非常见的8颗,同时也需要主板或CPU本身有支持,才能使用ECC内存。

进入到DDR5世代则完全不同,每颗IC直接就自带ECC除错的功能,这种自动纠错的特性能让采用DDR5内存的系统拥有更高的稳定性,不会因错误而中断。
 
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超频&运行温度间的关系


众所周知,超频的过程会产生大量的热,热是否能被适当的处理也是影响超频非常关键的因素,在DDR4(含)以前的世代,内存中较容易产生热的位置为芯片表面,因此无论是在散热片的设计还是极限超频的过程中,都会特别注重针对芯片的热去处理。

但到了DDR5世代,因为多了一颗PMIC,这颗PMIC本身也会发热,因此在散热的解决方案上多了一个要考虑的点,而PMIC的热若不能好好处理,也会影响到超频的稳定,偷偷透露一下小编已经收到的消息,由于十铨在散热这个方面早在2019年就提前布局,目前已找到极佳的方式去解决PMIC所产生的热,因此新的电竞超频内存稳定度非常高,绝对是DDR5世代内存购买首选!

关于DDR5世代内存与前一代几个重点差异的地方大概就是这些,后续如果有关于DDR5内存新的研究进展或是新知识,小编会再随时和大家分享,让我们一起拥抱新世代的到来吧!

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